دانلود مقاله و خرید ترجمه:تعیین خصوصیات نانوبلورها با استفاده از طیف سنجی Ellipsometry
بلافاصله پس از پرداخت دانلود کنید

کارابرن عزیز، مقالات سایت ( همگی جزو مقالات isi می باشند) بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (حتی محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi مانند IEEE، Sciencedirect، Springer، Emerald و ... انتخاب گردیده اند.

آگهی چاپ مقاله isi
ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
نرم افزار winrar
پیشنهادات ویژه
پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات ترجمه شده فیزیک عمومی
  • تعیین خصوصیات نانوبلورها با استفاده از طیف سنجی Ellipsometry

    سال انتشار:

    2012


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    تعیین خصوصیات نانوبلورها با استفاده از طیف سنجی Ellipsometry


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Characterization of Nanocrystals Using Spectroscopic Ellipsometry


    منبع:

    http://dx.doi.org/10.5772/48732, 2012


    چکیده انگلیسی:

    First applications of ellipsometry to the measurement of poly- and nanocrystalline thin films date back to many decades. The most significant step towards the ellipsometric investigation of composite thin films was the realization of the first spectroscopic ellipsometers in the ’70s [3, 4, 8], which allowed the measurement of the dielectric function, the imaginary part of which is directly related to the joint density of electronics states sensitively depending upon the changes of the crystal structure. The first models were based on the effective medium approach using constituents of known dielectric functions [5], whereas the volume fraction of the components can be related to the crystal properties of the thin films. This approach is popular ever since, based on its robustness. The effective medium methods have been followed by a range of different analytical models based on the parameterization of the dielectric function. These models allow the determination of the material properties also in cases when the material cannot be considered as a homogeneous mixture of phases with known dielectric function. These models can also be used for small grains that show size effects (and hence a modified electronic structure and dielectric function), i.e. for grains that can not be modeled by bulk references. Additional to the nanocrystal properties, the ellipsometric approach allows the sensitive characterization of further layer characteristics like the interface quality (e.g. nanoroughness at the layer boundaries), the lateral or vertical inhomogeneity or the thicknesses in multi-layer structures.


    چکیده فارسی:

    اولین کاربرد الیپسومتری برای اندازه گیری پوشش های نازک پلی- و نانوکریستال به دهه ها پیش بر می گردد. مهمترین گام در مسیر تحقیقات الیپسومتری پوشش های نازک کامپوزیت، شناخت اولین الیپسومتری طیف نما در دهه 70 بوده است [3, 4, 8]، که امکان اندازه گیری نقش دی الکتریک را امکان پذیر ساخت، که جزء انگاری آن مستقیما در ارتباط با حساسیت وضعیت چگالی مشترک الکترونیک بوده که بستگی به تغییرات ساختار کریستال دارد. اولین مدل ها بر مبنای روش میانگین موثر با استفاده از عوامل سارنده توابع دی الکتریک [5] بوده، درحالیکه بخش حجیمی از موئلفه ها در ارتباط با ویژگی های کریستال با پوشش نازک می باشند. این روش بر مبنای نیرومندی اش، محبوب می باشد. روش حد وسط موثر، توسط مجموعه ای از مدل های تحلیلی مختلف بر مبنای پارامتربندی تابع دی الکتریک، دنبال شد. این مدل ها امکان تعیین خصوصیات مواد را در مواردی می دهند که مواد نمی تواند به عنوان ترکیب همگنی از فازها با توابع دی الکتریک شناخته شده، مد نظر قرار گیرد. این مدل ها همچنین می تواند برای ذرات کوچکی که تاثیر اندازه را نشان می دهند ( و ساختار الکترونیکی اصلاح شده و تابع دی الکتریک) یعنی ذراتی که نمی توانند توسط برگشت های حجیم مدلسازی گردند، مورد استفاده قرار گیرد. علاوه بر خصوصیات نانوکریستال، روش الیپسومتری امکان توصیف خوصیات لایه های بیشتر همانند کیفیت رابط ( برای نمونه، سختی نانو در مرزهای لایه)، غیریکنواختی عرضی و عمودی یا ضخامت ساختارهای چندلایه را ایجاد می کند.


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 12
    تعداد صفحات فایل doc فارسی: 18

    حجم فایل: 442 کیلوبایت


    قیمت: 18000 تومان  16200 تومان(10% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
فیزیک-عمومی
موضوعات