دانلود مقاله و خرید ترجمه:یکپارچگی کامل  قدرت  تقویت کننده ی رده ی E از CMOS به منظور برنامه ریزی مجدد ناقل های برنامه های WCDMA/WiMAX
دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی

کارابرن عزیز، مقالات سایت ( همگی جزو مقالات isi می باشند) بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (حتی محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi مانند IEEE، Sciencedirect، Springer، Emerald و ... انتخاب گردیده اند.

آگهی چاپ مقاله isi
ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
نرم افزار winrar
پیشنهادات ویژه
پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات ترجمه شده برق مخابرات
  • یکپارچگی کامل قدرت تقویت کننده ی رده ی E از CMOS به منظور برنامه ریزی مجدد ناقل های برنامه های WCDMA/WiMAX

    سال انتشار:

    2013


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    یکپارچگی کامل قدرت تقویت کننده ی رده ی E از CMOS به منظور برنامه ریزی مجدد ناقل های برنامه های WCDMA/WiMAX


    عنوان انگلیسی مقاله:

    A Fully Integrated CMOS Class-E Power Amplifier for Reconfigurable Transmitters with WCDMA/WiMAX applications


    منبع:

    2013 26th International Conference on VLSI Design and the 12th International Conference on Embedded Systems, 1063-9667/13 $26.00 © 2013 IEEE, DOI 10.1109/VLSID.2013.183


    چکیده انگلیسی:

    This paper presents a dual-band CMOS power amplifier (PA) using class-E topology for Wideband Code Division Multiple Access (WCDMA) at 1.9 GHz and Worldwide Interoperability for Microwave Access (WiMAX) at 2.6 GHz applications. The fully integrated PA consists of an input balun, a driver stage, a power stage, and two output transformers. To operate the dual-band PA, common-gate amplifiers having on-off apparatuses in power stage and matched transformers for 1.9/2.6 GHz are employed. The PA is designed and fabricated in a 0.18- μm CMOS technology and has a chip size of 1.5 × 1.85 mm2 including all pads. When driven by continuous wave (CW) signals, the output power and the efficiency reach 28.1/27.4 dBm and 37.8/31.6% at 1.9 GHz and 2.6 GHz, respectively. The average output powers of the hybrid-EER based TX system 21 dBm for 3.84 MHz WCDMA and 12 dBm for 5 MHz WiMAX, while also meeting stringent linearity specifications without using any linearization methods.
    Keywords : class-E | CMOS | dual-band | hybrid-EER | power amplifier (PA) | supply modulator | transformer | WCDMA | WiMAX


    چکیده فارسی:

    این مقاله در مورد باند دوگانه ی تقویت کننده ی قدرت CMOS با استفاده از توپولوژی رده ی E برای دسترسی چندگانه ی به تقسیمات باند پهن (WCDMA) در 1.9 گیگاهرتز و ارتباطات متقابل جهانی برای دسترسی های به برنامه های کاربردی مایکروویو (WiMAX) در 2.6 گیگاهرتز, بحث میکند . PA کاملا یکپارچه شامل یک ترانسفورماتور متقارن ورودی , مرحله رانش,مرحله قدرت و دو ترانسفورماتور خروجی میباشد . تقویت کننده های مشترک مدخل ,به منظورکار کردن دو باند PA , دارای دستگاه روشن خاموش در مرحله قدرت میباشند و ترانسفورماتور در1.9 / 2.6 گیگاهرتز به کار گرفته میشود . PA در تکنولوژی0.18- میکرومتر ی CMOS طراحی و ساخته شده است و اندازه ی تراشه ی ان در تمام لایه ها در 1.5 × 1.85 mm2 میباشد . هنگامی که موج پیوسته ای از سیگنال ها هدایت می شود (CW) ,قدرت خروجی و راندمان به ترتیب به 28.1 / 27.4 DBM و 37.8 / 31.6٪ در 1.9 گیگاهرتز و 2.6 گیگاهرتز میباشد . متوسط قدرت خروجی سیستم هیبرید-EER بر اساس سیستم 21 TX برای WCDMA 3.84 مگاهرتز و 12 dBm برای 5 WiMAX مگاهرتز میباشد ,و همچنین باید گفت که برآورده خطی دقیق بوده و بدون استفاده از هر روش خطی دیگری است.
    واژه های کلیدی: رده ی E | باند دوگانه | EER ترکیبی | قدرت تقویت کننده ی PA | مدولاتور | ترانسفورماتور | WCDMA | WiMAX


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 4
    تعداد صفحات فایل doc فارسی: 11

    حجم فایل: 436 کیلوبایت


    قیمت: 15000 تومان  13500 تومان(10% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
برق-مخابرات
موضوعات