دانلود مقاله و خرید ترجمه:تکنولوژی نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی

کارابرن عزیز، مقالات سایت ( همگی جزو مقالات isi می باشند) بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (حتی محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi مانند IEEE، Sciencedirect، Springer، Emerald و ... انتخاب گردیده اند.

ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
نرم افزار winrar
پیشنهادات ویژه
پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات ترجمه شده برق الکترونیک
  • تکنولوژی نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

    سال انتشار:

    2010


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    تکنولوژی نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications


    منبع:

    Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2010 Proceedings of the European, 365 – 367


    نویسنده:

    Frank Wessely, Tillmann Krauss, Udo Schwalke


    چکیده انگلیسی:

    In this paper, we report on the fabrication and characterization of a novel voltage-selectable (VS) nanowire (NW) CMOS technology suitable to extend the flexibility in circuit design and reconfigurable logic applications. Silicon NWstructures with Schottky-S/D-junctions on silicon-on-insulator (SOI) substrate are used to realize dopant-independent unipolar CMOS-like transistors. A selection of the device type (PMOS or NMOS) is performed by application of an appropriate back-gate bias. The versatile programming capability of this approach is demonstrated in a VS-NW-CMOS inverter set-up.


    چکیده فارسی:

    در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 3
    تعداد صفحات فایل doc فارسی: 10

    وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    حجم فایل: 225 کیلوبایت


    قیمت: 12000 تومان  10800 تومان(10% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
-برق-الکترونیک
موضوعات