دانلود مقاله و خرید ترجمه:اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزي نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عايق: ساختار دستگاه جديد با ترانزیستورهاي برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمينان
دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی

کارابرن عزیز، مقالات سایت ( همگی جزو مقالات isi می باشند) بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (حتی محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi مانند IEEE، Sciencedirect، Springer، Emerald و ... انتخاب گردیده اند.

آگهی چاپ مقاله isi
ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
نرم افزار winrar
پیشنهادات ویژه
پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات ترجمه شده برق الکترونیک
  • اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزي نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عايق: ساختار دستگاه جديد با ترانزیستورهاي برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمينان

    سال انتشار:

    2015


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزي نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عايق: ساختار دستگاه جديد با ترانزیستورهاي برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمينان


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Thin layer oxide in the drift region of Laterally double-diffused metal oxide semiconductor on silicon-on-insulator: A novel device structure enabling reliable high-temperature power transistors


    منبع:

    Sciencedirect - Elsevier - Materials Science in Semiconductor Processing 30 (2015) 599–604


    چکیده انگلیسی:

    In this paper a new lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor on silicon-on-insulator (SOI) technology is reported. In the proposed structure a trench oxide in the drift region is reformed to reduce surface temperature. In the LDMOS devices one way for achieving high breakdown voltage is incorporating the trench oxide in the drift region. But, this strategy causes high lattice temperature in the device. So, the middle of the trench oxide in the drift region is etched and filled with the silicon to have higher thermal conductivity material and reduce the lattice temperature in the drift region. The simulation with two-dimensional ATLAS simulator shows that the novel thin trench oxide in the n-drift region of LDMOS transistor (TT-LDMOS) have lower maximum lattice temperature with an acceptable breakdown voltage in respect to the conventional LDMOS (C-LDMOS) structure with the trench oxide in the drift region. So, TT-LDMOS can be a reliable device for power transistors.
    Keywords: LDMOS | Maximum lattice temperature | Breakdown voltage | Mobility


    چکیده فارسی:

    در این مقاله یک ترانزیستور نیمه هادی اکسید فلزي نفوذ دوگانه افقي (LDMOS) جدید بر روی سیلیکون بر روی عایق (SOI) گزارش شده است. در ساختار پیشنهادی يك اکسید گودالي در منطقه رانش به منظور کاهش درجه حرارت سطح اصلاح شده است. در دستگاه های LDMOS یک راه برای رسیدن به ولتاژ شکست بالا، ترکیب اکسید گودالي در منطقه رانش است. اما، این استراتژی باعث دمای بالا در شبکه دستگاه می شود. بنابراین، وسط اکسید گودالي در منطقه رانش قلم زده مي شود و براي هدایت حرارتی بالاتر و کاهش دمای شبکه در منطقه رانش پر از سیلیکون مي شود. شبیه سازی با شبیه ساز ATLAS دو بعدی نشان می دهد که اکسید گودالي نازک جديد در منطقه رانش N ترانزیستور LDMOS (TT-LDMOS) دارای حداکثر درجه حرارت پایین تر شبکه با ولتاژ شکست قابل قبول با توجه به LDMOS معمولی (C-LDMOS) است. بنابراین، TT-LDMOS می تواند یک دستگاه قابل اطمينان برای ترانزیستورهای برق باشد.
    کلمات کلیدی: LDMOS | حداکثر درجه حرارت شبکه | ولتاژ شکست | تحرک


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 6
    تعداد صفحات فایل doc فارسی: 16

    حجم فایل: 314 کیلوبایت


    قیمت: 18000 تومان  16200 تومان(10% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
-برق-الکترونیک
موضوعات