دانلود مقاله و خرید ترجمه:رویکردی نوین برای کاهش توان نشتی در فناوری های ژرف زیرمیکرون (Deep Submicron) در مدارهای CMOS VLSI
دانلود بهترین مقالات isi همراه با ترجمه فارسی

کارابرن عزیز، مقالات سایت ( همگی جزو مقالات isi می باشند) بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (حتی محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi مانند IEEE، Sciencedirect، Springer، Emerald و ... انتخاب گردیده اند.

ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
تمامی مقالات ترجمه شده ، انگلیسی و کتاب های این سایت با دقت تمام انتخاب شده اند. در انتخاب مقالات و کتاب ها پارامترهای جدید بودن، پر جستجو بودن، درخواست کاربران ، تعداد صفحات و ... لحاظ گردیده است. سعی بر این بوده بهترین مقالات در هر زمینه انتخاب و در اختیار شما کاربران عزیز قرار گیرد. ضمانت ما، کیفیت ماست.
نرم افزار winrar

از نرم افزار winrar برای باز کردن فایل های فشرده استفاده می شود. برای دانلود آن بر روی لینک زیر کلیک کنید
دانلود

پیشنهادات ویژه
پکیج ویژه مقالات محاسبات ابری
پکیج ویژه مقالات زنجیره تامین
پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات ترجمه شده برق الکترونیک
  • رویکردی نوین برای کاهش توان نشتی در فناوری های ژرف زیرمیکرون (Deep Submicron) در مدارهای CMOS VLSI

    سال انتشار:

    2015


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    رویکردی نوین برای کاهش توان نشتی در فناوری های ژرف زیرمیکرون (Deep Submicron) در مدارهای CMOS VLSI


    عنوان انگلیسی مقاله:

    A Novel Approach for Leakage Power Reduction in Deep Submicron Technologies in CMOS VLSI Circuits


    منبع:

    IEEE International Conference on Computer, Communication and Control (IC4-2015).


    نویسنده:

    Ajay Kumar Dadoria, Kavita Khare , R. P. Singh


    چکیده انگلیسی:

    Leakage currents are one of the major design concerns in Deep sub-micron (DSM) technology due to rapid integration of semiconductor industries by reducing the transistor size. Many parameter has been reduces with technology scaling such as Threshold voltage, oxide thickness, channel length and supply voltage (Vdd) has been reduced to keep power consumption under control. As a consequence, the transistor threshold voltage (Vth) is also scaled down to maintain the drive current capability and to achieve performance improvement when reducing the technology node. However, the threshold voltage reduction increases sub-threshold current exponentially. In this paper analysis of some of the leakage reduction technique and compare them with proposed technique for mitigating the leakage power, with the combination of sleep with Galeor which reduces the average power consumption for low and High Vth in Basic Nand Gate 36.47% & 49.0%, Force Stack 62.90% & 70.18%, Sleep Transistor with Low Vth 33.30% & 46.39%, High Vth 47.66 % & 57.93%, sleepy Keeper 58.92% & 66.98 % respectively.
    Keywords: Sub threshold leakage current | transistor stacking | power consumption | CMOS | Deep Submicron


    چکیده فارسی:

    جریان¬های نشتی به دلیل یکپارچه¬سازی سریع صنایع نیمه¬هادی با کاستن از اندازه¬ی ترانزیستورها، یکی از دغدغه¬های اصلی در فناوری ژرف زیرمیکرون (DSM) هستند. پارامترهای بسیاری همچون ولتاژ آستانه، ضخامت اکسید، طول کانال و ولتاژ تغذیه (Vdd) با کوچک¬شدن فناوری، مقادیر کمتری یافته¬اند تا مصرف توان همچنان تحت کنترل باشد. در نتیجه، ولتاژ آستانه¬ی ترانزیستور (Vth) نیز کوچک شده است تا ظرفیت جریان درایو حفظ شده و در هنگام کاهش گره فناوری به بهبود عملکرد دست یابیم. با اینحال کاهش ولتاژ آستانه موجب افزایش جریان زیر آستانه به صورت نمایی شده است. در این مقاله، تحلیل برخی تکنیک¬های کاهش نشتی و مقایسه¬ی آنها با تکنیک پیشنهادی برای کاستن از توان نشتی، با ترکیب نمودن حالات خواب و گالئور (Galeor) ارائه شده است، این ترکیب نمودن موجب کاهش مصرف متوسط توان برای ولتاژ آستانه-ی زیاد و کم به ترتیب در گیت Nand پایه به مقادیر 36.47% و 49.0%، در پشته¬ی اجباری به مقادیر 62.90% و 70.18%، در ترانزیستور Sleep با ولتاژ آستانه¬ی کم به مقادیر 33.30% و 46.39%، در ترانزیستور Sleep با ولتاژ آستانه¬ی زیاد به مقادیر 47.66% و 57.93%، در نگه¬دارنده¬ی مُد خواب به مقادیر 58.92% و 66.98% می¬شود.
    کلمات کلیدی: جریان نشتی زیر آستانه | پشته سازی ترانزیستور | مصرف توان | CMOS | ژرف زیرمیکرون


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 6
    تعداد صفحات فایل doc فارسی: 18

    وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    حجم فایل: 330 کیلوبایت


    قیمت: 30000 تومان  27000 تومان(10% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
-برق-الکترونیک
موضوعات
footer