دانلود مقاله و خرید ترجمه:اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود
بلافاصله پس از پرداخت دانلود کنید

کارابرن عزیز، مقالات سایت ( همگی جزو مقالات isi می باشند) بالاترین کیفیت ترجمه را دارند، ترجمه آنها کامل و دقیق می باشد (حتی محتوای جداول و شکل های نیز ترجمه شده اند) و از بهترین مجلات isi مانند IEEE، Sciencedirect، Springer، Emerald و ... انتخاب گردیده اند.

ورود اعضا
توجه توجه توجه !!!!
تمامی مقالات ترجمه شده ، انگلیسی و کتاب های این سایت با دقت تمام انتخاب شده اند. در انتخاب مقالات و کتاب ها پارامترهای جدید بودن، پر جستجو بودن، درخواست کاربران ، تعداد صفحات و ... لحاظ گردیده است. سعی بر این بوده بهترین مقالات در هر زمینه انتخاب و در اختیار شما کاربران عزیز قرار گیرد. ضمانت ما، کیفیت ماست.
نرم افزار winrar

از نرم افزار winrar برای باز کردن فایل های فشرده استفاده می شود. برای دانلود آن بر روی لینک زیر کلیک کنید
دانلود

پیشنهادات ویژه
پکیج ویژه مقالات محاسبات ابری
پکیج ویژه مقالات زنجیره تامین
پیوندهای کاربردی
پیوندهای مرتبط
مقالات ترجمه شده برق الکترونیک
  • اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود

    سال انتشار:

    2013


    ترجمه فارسی عنوان مقاله:

    اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود


    عنوان انگلیسی مقاله:

    Impact of Threading Dislocations on the Design of GaAs and InGaP/GaAs Solar Cells on Si Using Finite Element Analysis


    منبع:

    IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, VOL. 3, NO. 1, JANUARY 2013


    نویسنده:

    Nikhil Jain, Student Member, IEEE, and Mantu K. Hudait, Senior Member, IEEE


    چکیده انگلیسی:

    We investigate the impact of threading dislocation densities on the photovoltaic performance of single-junction (1J) n+ /p GaAs and dual-junction (2J) n+ /p InGaP/GaAs solar cells on Si substrate. Using our calibrated model, simulation predicts an efficiency of greater than 23% for a 1J GaAs cell on Si at AM1.5G spectrum at a threading dislocation density of 106 cm−2 . The design of a metamorphic 2J InGaP/GaAs solar cell on Si was optimized by tailoring the 2J cell structure on Si to achieve current matching between the subcells, taking into account a threading dislocation density of 106 cm−2 . Finally, we present a novel and an optimized 2J InGaP/GaAs solar cell design on Si at a threading dislocation density of 106 cm−2 , which exhibited a theoretical conversion efficiency of greater than 29% at AM1.5G spectrum, indicating a path for viable III–V multijunction cell technology on Si.
    Index Terms: III–V semiconductor materials | charge carrier lifetime | photovoltaic cells | semiconductor device modeling.


    چکیده فارسی:

    ما اثر تراکم های جابجاشدگی شیار را بر عملکرد فوتوولتایک سلول های خورشیدی با اتصال منفرد (1j) n+ /p GaAs و اتصال دوگانه (2j) n+ /p InGaP/GaAs روی زیرلایه سیلیسیمی مورد بررسی قرار می دهیم. با استفاده از مدل کالیبراسیون ما، شبیه سازی، بازدهی بیش از 23% را برای یک سلول 1J GAAS روی سیلیسیم در طیف AM1.5G در یک تراکم جابجایی شیار 10-6cm-2 پیش بینی می کند. طرح سلول خورشیدی متامورفیک 2J InGaP/GaA روی سیلسیم با مناسب سازی ساختار سلول 2J روی سیلیسیم بهینه می شود تا با درنظرگیری یک تراکم جابجاشدگی شیار 106cm-2 تطبیق جریان بین سلول های فرعی انجام شود. در نهایت، ما یک طرح سلول خورشیدی 2J InGaP/GaAs جدید و بهینه را روی سیلیسیم در یک تراکم جابجاشدگی شیار 10-6cm-2 ارائه می دهیم که یک بازدهی تبدیل تئوریک بیش از 29% را در طیف AM1.5G را نشان داده است که نشان دهنده یک مسیر برای فناوری سلول چنداتصالی تدوام پذیر III–V روی سیلیسیم می باشد.
    کلمات شاخص: III–V | مواد نیمه هادی | طول عمر حامل بار | سلول های فوتوولتایک | مدلسازی دستگاه نیمه هادی


    سطح: متوسط
    تعداد صفحات فایل pdf انگلیسی: 7
    تعداد صفحات فایل doc فارسی: 22

    وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: به صورت کامل ترجمه شده است

    حجم فایل: 1559 کیلوبایت


    قیمت: 18000 تومان  16200 تومان(10% تخفیف)


    توضیحات اضافی:




تعداد نظرات : 0

الزامی
الزامی
الزامی
-برق-الکترونیک
موضوعات
footer